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BC848B,235

BC848B,235

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BC848B,235中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC848B,235引脚图与封装图
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在线购买BC848B,235
型号 制造商 描述 购买
BC848B,235 NXP 恩智浦 TO-236AB NPN 30V 0.1A 搜索库存
替代型号BC848B,235
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC848B,235

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 250mW

当前型号

TO-236AB NPN 30V 0.1A

当前型号

型号: BC848B,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

类似代替

NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

BC848B,235和BC848B,215的区别

型号: BC849B,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 250mW

类似代替

NXP  BC849B,215  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE

BC848B,235和BC849B,215的区别

型号: BC848BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE

BC848B,235和BC848BLT1G的区别