BU52055GWZ-E2
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
输出电流 0.5 mA
供电电流 5 µA
耗散功率 100 mW
输出电流Max 500 µA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
电源电压 1.65V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 1.65 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 XFBGA-4
长度 0.8 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.1 mm
封装 XFBGA-4
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BU52055GWZ-E2引脚图
BU52055GWZ-E2封装图
BU52055GWZ-E2封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BU52055GWZ-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 霍耳效应传感器,ROHM Semiconductor 集成电路利用霍尔效应,用于实施非接触感应、切换和闭锁功能。 ### 霍耳效应传感器,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |