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BPW77NA

VISHAY  BPW77NA  光电三极管, NPN, 3-TO-18

850nm 顶视图 TO-206AA,TO-18-3 金属罐


得捷:
PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM


欧时:
### BPW77NA 和 BPW77NB 系列光电晶体管Vishay Semiconductor BPW77NA 和 BPW77NB 是一个硅 NPN 光电晶体管系列。 它们采用 TO-18 等级密封,带玻璃透镜。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管为对可见光和近红外辐射敏感。 它们特别适合用作电子控制和驱动电路中的检测器。 BPW77NA 和 BPW77NB 光电晶体管的特征: TO-18 封装 4.7mm 直径 通孔安装 光敏性高 高辐射灵敏度 快速响应时间 工作温度:-40 至 +125 °C ### 红外光电晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
Phototransistors 10 Degree 250mW


艾睿:
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk


Allied Electronics:
NPN Phototransistor 850nm 10deg TO-206AA


安富利:
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA


富昌:
BPW77NA 系列 ±10° 灵敏度 通孔 NPN 硅 光电晶体管 - TO-18


TME:
Phototransistor; transparent; 20°; 850nm; Dark current:1nA; 70V


Verical:
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk


Newark:
# VISHAY  BPW77NA  Phototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18


儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR TO18 850NM 20° **


AMEYA360:
Vishay BPW77NA, ±10 ° 红外+可见光 光电晶体管, 通孔安装, TO-18 封装


BPW77NA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 70.0 V

工作电压 5.00 V

上升/下降时间 6000 ns

通道数 1

针脚数 3

波长 850 nm

视角 10°

峰值波长 850 nm

极性 NPN

耗散功率 250 mW

功耗 250 mW

上升时间 6 µs

击穿电压集电极-发射极 70 V

额定功率Max 250 mW

下降时间 5 µs

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

长度 5.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 6.15 mm

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 传感与仪器, Sensing & Instrumentation

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BPW77NA引脚图与封装图
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