BSS84
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BSS84中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -130 mA
额定功率 360 mW
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 360 mW
输入电容 73.0 pF
栅电荷 1.30 nC
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 -50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 130 mA
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 73pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 4.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSS84引脚图与封装图
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在线购买BSS84
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS84 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V | 搜索库存 |
替代型号BSS84
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS84 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -50V 130mA 10ohms 73pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V | 当前型号 |
| 型号： BSS84-7-F 品牌： Multicomp 封装： SOT-23 P-Channel | 类似代替 | MULTICOMP BSS84-7-F 场效应管, MOSFET, P沟道, -50V, 1.2Ω, -130mA, SOT-23-3 | BSS84和BSS84-7-F的区别 |
| 型号： BSS84LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 P-Channel 50V 130mA 10ohms 30pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 V | BSS84和BSS84LT1G的区别 |