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BSM150GB120DLC

BSM150GB120DLC

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

低损耗IGBT2和EMCON二极管62毫米C系列模块 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode

62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode


立创商城:
BSM150GB120DLC


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 1250000mW 7-Pin 62MM-1 Tray


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 300A 7-Pin 62MM


Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 300A 7-Pin 62MM


BSM150GB120DLC中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1250000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 62MM-1

外形尺寸

封装 62MM-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSM150GB120DLC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSM150GB120DLC Infineon 英飞凌 低损耗IGBT2和EMCON二极管62毫米C系列模块 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode 搜索库存
替代型号BSM150GB120DLC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSM150GB120DLC

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

低损耗IGBT2和EMCON二极管62毫米C系列模块 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode

当前型号

型号: BSM300GB120DLC

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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封装:

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