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BSM100GD120DN2

BSM100GD120DN2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSM100GD120DN2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 680 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 680000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 39

封装 ECONO-3

外形尺寸

长度 122 mm

宽度 62 mm

高度 17 mm

封装 ECONO-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSM100GD120DN2引脚图与封装图
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在线购买BSM100GD120DN2
型号 制造商 描述 购买
BSM100GD120DN2 Infineon 英飞凌 IGBT芯片在NPT技术 IGBT Chip in NPT-technology 搜索库存
替代型号BSM100GD120DN2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSM100GD120DN2

品牌: Infineon 英飞凌

封装: EconoPACK 680W

当前型号

IGBT芯片在NPT技术 IGBT Chip in NPT-technology

当前型号

型号: CM100TU-24H

品牌: Powerex

封装: Module

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型号: BSM100GD120DLC

品牌: 英飞凌

封装: EconoPACK

功能相似

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