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BSM35GP120

BSM35GP120

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSM35GP120中文资料参数规格
技术参数

额定功率 230 W

耗散功率 230 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1.5nF @25V

额定功率Max 230 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 24

封装 EconoPIM-2

外形尺寸

长度 107.5 mm

宽度 45 mm

高度 17 mm

封装 EconoPIM-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSM35GP120引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSM35GP120 Infineon 英飞凌 IGBT 模块 1200V 35A PIM 搜索库存
替代型号BSM35GP120
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSM35GP120

品牌: Infineon 英飞凌

封装: Module

当前型号

IGBT 模块 1200V 35A PIM

当前型号

型号: BSM35GP120G

品牌: 英飞凌

封装: EconoPIM3

功能相似

Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 230000mW 24Pin EconoPIM3

BSM35GP120和BSM35GP120G的区别