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BC857BW
NXP 恩智浦 分立器件

BC857BW

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 220~475 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大65 V)。 应用 •通用开关和放大

BC857BW中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BC857BW引脚图与封装图
BC857BW引脚图

BC857BW引脚图

BC857BW封装图

BC857BW封装图

BC857BW封装焊盘图

BC857BW封装焊盘图

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替代型号BC857BW
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857BW

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-323/SC-70 PNP

当前型号

BC857BW

当前型号

型号: BC857BW,135

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 PNP 200mW

完全替代

SC-70 PNP 45V 0.1A

BC857BW和BC857BW,135的区别

型号: BC857BW-7-F

品牌: 美台

封装: SC-70-3 PNP 65V 100mA 200mW

类似代替

DIODES INC.  BC857BW-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE

BC857BW和BC857BW-7-F的区别

型号: BC857BW,115

品牌: 安世

封装:

类似代替

BC857BW 系列 PNP 45 V 100 mA 表面贴装 通用 晶体管 - SOT-323

BC857BW和BC857BW,115的区别