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BR25G1MFJ-3GE2

BR25G1MFJ-3GE2

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

电可擦除可编程只读存储器 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin

EEPROM Memory IC 1Mb 128K x 8 SPI 10MHz 8-SOP-J


得捷:
IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOPJ


立创商城:
BR25G1MFJ-3GE2


贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 1M-bit 128K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R


BR25G1MFJ-3GE2中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 10 MHz

存取时间Max 40 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BR25G1MFJ-3GE2引脚图与封装图
BR25G1MFJ-3GE2封装图

BR25G1MFJ-3GE2封装图

BR25G1MFJ-3GE2封装焊盘图

BR25G1MFJ-3GE2封装焊盘图

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BR25G1MFJ-3GE2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电可擦除可编程只读存储器 Digital Transistor PNP 50V 100mA 3-Pin 搜索库存