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BUK7510-100B

BUK7510-100B

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BUK7510-100B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 110 A

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 6773pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUK7510-100B引脚图与封装图
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在线购买BUK7510-100B
型号 制造商 描述 购买
BUK7510-100B NXP 恩智浦 MOS场效应管/BUK7510-100B 管装 搜索库存
替代型号BUK7510-100B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BUK7510-100B

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-220TO-220-3

当前型号

MOS场效应管/BUK7510-100B 管装

当前型号

型号: BUK7510-100B,127

品牌: 恩智浦

封装: TO-220AB N-CH 100V 110A

完全替代

TO-220AB N-CH 100V 110A

BUK7510-100B和BUK7510-100B,127的区别

型号: PSMN009-100P,127

品牌: 恩智浦

封装: TO-220-3 N-Channel 100V 75A

类似代替

TO-220AB N-CH 100V 75A

BUK7510-100B和PSMN009-100P,127的区别

型号: BUK7515-100A,127

品牌: 恩智浦

封装: TO-220AB N-CH 100V 75A

类似代替

TO-220AB N-CH 100V 75A

BUK7510-100B和BUK7515-100A,127的区别