BR25L010FVT-WE2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BR25L010FVT-WE2中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 5.00 MHz, 5.00 MHz max
存取时间 5.00 µs
内存容量 1000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BR25L010FVT-WE2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BR25L010FVT-WE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | BR25L010 系列 1 Kb 128 X 8 SPI 3 线 串行 EEPROM - TSSOP-8 | 搜索库存 |