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BR95010-WMN6TP

BR95010-WMN6TP

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

电源电压2.5V 〜 5.5V /工作温度-40℃ 〜 + 85℃的类型 Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type

EEPROM Memory IC 1Kb 128 x 8 SPI 5MHz 8-SO


得捷:
IC EEPROM 1KBIT SPI 5MHZ 8SO


Chip1Stop:
EEPROM Serial-SPI 1K-bit 128 x 8 3.3V/5V 8-Pin SOIC N


BR95010-WMN6TP中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 5.00 MHz, 5.00 MHz max

存取时间 70 ns

内存容量 1000 B

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BR95010-WMN6TP引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BR95010-WMN6TP ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电源电压2.5V 〜 5.5V /工作温度-40℃ 〜 + 85℃的类型 Supply voltage 2.5V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type 搜索库存