BR34L02FV-WE2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
BR34L02FV-WE2中文资料参数规格
技术参数
频率 400 kHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 400 kHz
存取时间 400 ms
内存容量 250 B
存取时间Max 3500 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SSOP-8
外形尺寸
封装 SSOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BR34L02FV-WE2引脚图与封装图
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在线购买BR34L02FV-WE2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BR34L02FV-WE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DDR1 / DDR2为内存模块）内存SPD DDR1/DDR2 For memory module SPD Memory | 搜索库存 |
替代型号BR34L02FV-WE2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BR34L02FV-WE2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8SSOP 250B 5V 400 ms 8Pin | 当前型号 | DDR1 / DDR2为内存模块）内存SPD DDR1/DDR2 For memory module SPD Memory | 当前型号 |
| 型号： BR34L02FVT-WE2 品牌： 罗姆半导体 封装： 8TSSOP-B | 完全替代 | 2Kbit的串行I2C总线的EEPROM SPD对于DRAM内存模块 2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module | BR34L02FV-WE2和BR34L02FVT-WE2的区别 |