BC846S,125
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BC846S,125中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC846S,125引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC846S,125
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC846S,125 | NXP 恩智浦 | TSSOP NPN 65V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC846S,125
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC846S,125 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN 300mW | 当前型号 | TSSOP NPN 65V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC846S,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 类似代替 | NXP BC846S,115 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE | BC846S,125和BC846S,115的区别 |
| 型号： BC846BDW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 65V 100mA 380mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC846BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, 双NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 | BC846S,125和BC846BDW1T1G的区别 |