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BC81740MTF

BC81740MTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC81740MTF  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 800 mA, 170 hFE

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for AF-driver stages, low-power output stages, switching and amplifier applications.

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Complement to BC807

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
BC817 系列 45 V CE 击穿 0.8 A NPN 外延硅 晶体管 - SOT-23


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 310mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC81740MTF  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 800 mA, 170 hFE


DeviceMart:
IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT-23


BC81740MTF中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 310 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 310 mW

直流电流增益hFE 170

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC81740MTF引脚图与封装图
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在线购买BC81740MTF
型号 制造商 描述 购买
BC81740MTF Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC81740MTF  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 800 mA, 170 hFE 搜索库存
替代型号BC81740MTF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC81740MTF

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 310mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC81740MTF  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 310 mW, 800 mA, 170 hFE

当前型号

型号: BC81740NMMTF

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN

完全替代

Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3Pin SOT-23 T/R

BC81740MTF和BC81740NMMTF的区别

型号: BC817-40LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT1G.  双极晶体管

BC81740MTF和BC817-40LT1G的区别