BCR183SH6327XTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCR183SH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BCR183SH6327XTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCR183SH6327XTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR183SH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
替代型号BCR183SH6327XTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR183SH6327XTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL PNP 250mW | 当前型号 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 |
| 型号： DDA114EU-7 品牌： 美台 封装： 6-TSSOP PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R | BCR183SH6327XTSA1和DDA114EU-7的区别 |