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BCR108WH6327XTSA1

BCR108WH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 PG-SOT323-3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3


立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3


BCR108WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 170 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR108WH6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCR108WH6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCR108WH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号BCR108WH6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BCR108WH6327XTSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL NPN 250mW

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号： PDTC123JE,115

品牌： 恩智浦

封装： SOT-416 NPN 150mW

功能相似

NXP  PDTC123JE,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 150 mW, 100 mA, 100 hFE

BCR108WH6327XTSA1和PDTC123JE,115的区别