BR24G128FVJ-3GTE2

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器

EEPROM 存储器 IC 128Kb（16K x 8） I²C 8-TSSOP-BJ

得捷:
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP

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BR24G128FVJ-3GTE2

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电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器

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EEPROM Serial-I2C 128K-bit 16K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R

BR24G128FVJ-3GTE2中文资料参数规格

技术参数

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.6V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

BR24G128FVJ-3GTE2引脚图与封装图

BR24G128FVJ-3GTE2引脚图

BR24G128FVJ-3GTE2封装图

BR24G128FVJ-3GTE2封装焊盘图

在线购买BR24G128FVJ-3GTE2

型号	制造商	描述	购买
BR24G128FVJ-3GTE2	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器	搜索库存

替代型号BR24G128FVJ-3GTE2

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BR24G128FVJ-3GTE2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体封装： TSSOP-B8J	当前型号	电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器	当前型号
型号： BR24T128FVJ-WE2 品牌：罗姆半导体封装： TSSOP-8	完全替代	EEPROM Serial-I2C 128Kbit 16K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8Pin TSSOP-BJ T/R	BR24G128FVJ-3GTE2和BR24T128FVJ-WE2的区别
型号： BR24G128FV-3GTE2 品牌：罗姆半导体封装： SSOP-B8	完全替代	电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K SSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器	BR24G128FVJ-3GTE2和BR24G128FV-3GTE2的区别
型号： BR24S128FV-WE2 品牌：罗姆半导体封装： 8SSOPB	类似代替	高可靠性系列EEPROM的I2C总线 High Reliability Series EEPROMs I2C BUS	BR24G128FVJ-3GTE2和BR24S128FV-WE2的区别