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BR25L080FVT-WE2

BR25L080FVT-WE2

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

SPI总线串行EEPROM SPI BUS Serial EEPROMs

EEPROM 存储器 IC 8Kb(1K x 8) SPI 5 MHz 8-TSSOP-B


得捷:
IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOPB


安富利:
EEPROM Serial-SPI 8K-bit 1K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-B T/R


Chip1Stop:
EEPROM Serial-SPI 8K-bit 1K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-B T/R


Verical:
EEPROM Serial-SPI 8K-bit 1K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-B T/R


Win Source:
IC EEPROM 8KBIT 5MHZ 8TSSOP-B


BR25L080FVT-WE2中文资料参数规格
技术参数

频率 5 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 3 mA

时钟频率 5.00 MHz, 5.00 MHz max

存取时间 5.00 µs

内存容量 8000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BR25L080FVT-WE2引脚图与封装图
BR25L080FVT-WE2引脚图

BR25L080FVT-WE2引脚图

BR25L080FVT-WE2封装图

BR25L080FVT-WE2封装图

BR25L080FVT-WE2封装焊盘图

BR25L080FVT-WE2封装焊盘图

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