BR25L080FJ-WE2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
BR25L080FJ-WE2中文资料参数规格
技术参数
频率 5 MHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 3 mA
时钟频率 5.00 MHz, 5.00 MHz max
存取时间 5.00 µs
内存容量 8000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BR25L080FJ-WE2引脚图与封装图 
BR25L080FJ-WE2引脚图
BR25L080FJ-WE2封装图
BR25L080FJ-WE2封装焊盘图
在线购买BR25L080FJ-WE2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BR25L080FJ-WE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs | 搜索库存 |
替代型号BR25L080FJ-WE2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BR25L080FJ-WE2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8SOPJ 8000B 5V 5us | 当前型号 | 高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs | 当前型号 |
| 型号： BR25L080F-WE2 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP-8 | 完全替代 | 高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs | BR25L080FJ-WE2和BR25L080F-WE2的区别 |
| 型号： 25LC080B-I/SN 品牌： 微芯 封装： SOIC 1000B 5V 10MHz 8Pin | 功能相似 | 25LC080B 系列 8 Kb 1 K x 8 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - SOIC-8 | BR25L080FJ-WE2和25LC080B-I/SN的区别 |