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BR34E02FVT-3E2

BR34E02FVT-3E2

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

串行EEPROM系列标准EEPROM即插即用EEPROM Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM

●Description

BR34E02-3 Series is 256×8 bit Electrically Erasable PROM Based on Serial Presence Detect

●Features

1 256×8 bit architecture serial EEPROM

 2  Wide operating voltage range: 1.7V-5.5V

 3  Two-wire serial interface

 4  Self-Timed Erase and Write Cycle

 5  Page Write Function 16byte

 6  Write Protect Mode

  Settable Reversible Write Protect Function: 00h-7Fh

  Write Protect 1 Onetime Rom      : 00h-7Fh

  Write Protect 2 Hardwire WP PIN   : 00h-FFh

 7  Low Power consumption 

  Write  at 1.7V   : 0.4mA typ.

  Read  at 1.7V   : 0.1mAtyp.

  Standby   at 1.7V   : 0.1µAtyp.

8 DATA security

  Write protect feature WP pin

  Inhibit to WRITE at low VCC

 9  Compact package: TSSOP-B8, VSON008X2030

 10  High reliability fine pattern CMOS technology

 11  Rewriting possible up to 1,000,000 times

 12  Data retention: 40 years

 13  Noise reduction Filtered inputs in SCL / SDA  

 14  Initial data FFh at all addresses

BR34E02FVT-3E2中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 400 kHz

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

BR34E02FVT-3E2引脚图与封装图
BR34E02FVT-3E2引脚图

BR34E02FVT-3E2引脚图

BR34E02FVT-3E2封装图

BR34E02FVT-3E2封装图

BR34E02FVT-3E2封装焊盘图

BR34E02FVT-3E2封装焊盘图

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