BR24L32FV-WE2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BR24L32FV-WE2中文资料参数规格
技术参数
频率 0.4 MHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 3 mA
时钟频率 400 kHz
存取时间 3500 ns
内存容量 4000 B
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SSOPB-8
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.15 mm
封装 SSOPB-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BR24L32FV-WE2引脚图与封装图 
BR24L32FV-WE2引脚图
BR24L32FV-WE2封装图
BR24L32FV-WE2封装焊盘图
在线购买BR24L32FV-WE2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BR24L32FV-WE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | BR24 系列 32 Kb 4K X 8 1.7 至 5.5 V 表面贴装 I2C 总线 串行 EEPROM - SSOP-B8 | 搜索库存 |
替代型号BR24L32FV-WE2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BR24L32FV-WE2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8SSOPB 4000B 5V 400kHz 8Pin | 当前型号 | BR24 系列 32 Kb 4K X 8 1.7 至 5.5 V 表面贴装 I2C 总线 串行 EEPROM - SSOP-B8 | 当前型号 |
| 型号： 24AA32A-I/ST 品牌： 微芯 封装： TSSOP 4000B 5V 400kHz 8Pin | 功能相似 | 24AA32A 系列 32 Kb 4K X 8 5.5 V 表面贴装 I2C 串行 EEPROM - TSSOP-8 | BR24L32FV-WE2和24AA32A-I/ST的区别 |
| 型号： 24LC32A-I/ST 品牌： 微芯 封装： TSSOP 4000B 5V 400kHz 8Pin | 功能相似 | 24AA32A/24LC32A I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA32A/24LC32A 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA32A 设备）、2.5 V（用于 24LC32A 设备） 低功率 CMOS 技术：有源电流 1mA（典型）、待机电流 1μA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5 ms 最大 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip | BR24L32FV-WE2和24LC32A-I/ST的区别 |
| 型号： BR24L32FV-W 品牌： 罗姆半导体 封装： SSOP-B | 功能相似 | 4k的×8位的电可擦除PROM 4k】8 bit electrically erasable PROM | BR24L32FV-WE2和BR24L32FV-W的区别 |