电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 2 MHz
存取时间 200 ns
内存容量 8000 B
存取时间Max 200 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MSOP-8
封装 MSOP-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BR93L76RFVM-WTR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Microwire 总线 1.8 至 5.5 V 512 x 16 2 MHz 表面贴装 串行 EEPROM - MSOP-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BR93L76RFVM-WTR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: MSOP 8000B 5V 2us 8Pin | 当前型号 | Microwire 总线 1.8 至 5.5 V 512 x 16 2 MHz 表面贴装 串行 EEPROM - MSOP-8 | 当前型号 | |
型号: BR93L76RF-WE2 品牌: 罗姆半导体 封装: SOP 8000B 5V 2MHz | 类似代替 | 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS | BR93L76RFVM-WTR和BR93L76RF-WE2的区别 | |
型号: BR93L76F-WE2 品牌: 罗姆半导体 封装: SOP 8000B 5V 2us | 类似代替 | 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS | BR93L76RFVM-WTR和BR93L76F-WE2的区别 | |
型号: BR93L76RFJ-WE2 品牌: 罗姆半导体 封装: SOIC 8000B 5V 2us 8Pin | 类似代替 | 高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS | BR93L76RFVM-WTR和BR93L76RFJ-WE2的区别 |