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BR34L02FVT-WE2

BR34L02FVT-WE2

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

2Kbit的串行I2C总线的EEPROM SPD对于DRAM内存模块 2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

●DESCRIPTION

BR34L02-W is 2Kbit Serial I2C BUS Electrically Erasable PROM based on Serial Presence Detect for DRAM Memory Module

●FEATURES

256×8 bit architecture serial EEPROM

Wide operating voltage range 1.7V~5.5V

Two wire serial interface

High reliability connection of Au pad and Au wire

Self-Timed Erase and Write Cycle

Page Write Function16byte

Write Protect Mode

  Write Protect 1Onetime Rom  : 00h~7Fh

  Write Protect 2Hardwire WP PIN    :   00h~FFh

Low Power consumption

   Write  5V   :  1.2mA Typ.

   Read  5V   :  0.2mATyp.

   Standby   5V   :  0.1μATyp.

DATA security

  Write protect feature WP pin

  Inhibit to WRITE at low VCC

Small package ------ SSOP-B8/TSSOP-B8

High reliability fine pattern CMOS technology

Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

Data retention : 40 years

Filtered inputs in SCL / SDA for noise suppression

Initial data FFh in all address

BR34L02FVT-WE2中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 400 kHz

存取时间Max 3500 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BR34L02FVT-WE2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BR34L02FVT-WE2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 2Kbit的串行I2C总线的EEPROM SPD对于DRAM内存模块 2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module 搜索库存
替代型号BR34L02FVT-WE2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BR34L02FVT-WE2

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: 8TSSOP-B

当前型号

2Kbit的串行I2C总线的EEPROM SPD对于DRAM内存模块 2Kbit Serial I2C BUS EEPROM For SPD DRAM Memory Module

当前型号

型号: BR34L02FV-WE2

品牌: 罗姆半导体

封装: 8SSOP 250B 5V 400 ms 8Pin

完全替代

DDR1 / DDR2为内存模块)内存SPD DDR1/DDR2 For memory module SPD Memory

BR34L02FVT-WE2和BR34L02FV-WE2的区别