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A1P50S65M2

A1P50S65M2

晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 1


得捷:
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 208000mW 22-Pin ACEPACK-1 Frame


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 208000mW 22-Pin ACEPACK-1 Tray


A1P50S65M2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 208 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

输入电容Cies 4150pF @25V

额定功率Max 208 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

引脚数 22

封装 ACEPACK-1

外形尺寸

封装 ACEPACK-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

A1P50S65M2引脚图与封装图
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A1P50S65M2 ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module 搜索库存