A1C15S12M3-F
ST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
耗散功率 142.8 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 985pF @25V
额定功率Max 142.8 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 142800 mW
引脚数 23
封装 ACEPACK-1
封装 ACEPACK-1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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A1C15S12M3-F | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 1.95 V, 142.8 W, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |