AH3367Q-P-B
Diodes(美台)
电子元器件分类
耗散功率 550 mW
输出电流Max 60 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 550 mW
电源电压 3V ~ 28V
电源电压Max 28 V
电源电压Min 3 V
引脚数 3
封装 SIP
封装 SIP
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AH3367Q-P-B | Diodes 美台 | 霍尔效应开关, 单极性, 115 G, 90 G, 3 V, 28 V, SIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AH3367Q-P-B 品牌: Diodes 美台 封装: | 当前型号 | 霍尔效应开关, 单极性, 115 G, 90 G, 3 V, 28 V, SIP | 当前型号 | |
型号: AH3367Q-P-A 品牌: 美台 封装: | 完全替代 | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Hall Unipolar Switch | AH3367Q-P-B和AH3367Q-P-A的区别 |