AZ4558CMTR-G1
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
AZ4558CMTR-G1中文资料参数规格
技术参数
供电电流 2.5 mA
电路数 2
耗散功率 0.5 W
共模抑制比 110 dB
增益频宽积 5.5 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 70 nA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 500 mW
共模抑制比Min 70 dB
电源电压 2V ~ 18V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AZ4558CMTR-G1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AZ4558CMTR-G1 | Diodes 美台 | AZ4558C 系列 36 V 5.5 MHz 表面贴装 双 双极 运算放大器 - SOIC-8 | 搜索库存 |