APT13003LZTR-G1
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
APT13003LZTR-G1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.8 W
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 450 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 6 @300mA, 10V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
APT13003LZTR-G1引脚图与封装图 
APT13003LZTR-G1封装图
APT13003LZTR-G1封装焊盘图
在线购买APT13003LZTR-G1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT13003LZTR-G1 | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号APT13003LZTR-G1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT13003LZTR-G1 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92 NPN 800mW | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： APT27HZTR-G1 品牌： 美台 封装： TO92 NPN 800mW | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces | APT13003LZTR-G1和APT27HZTR-G1的区别 |
| 型号： APT27ZTR-G1 品牌： 美台 封装： TO-92 NPN 800mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3Pin TO-92 Ammo | APT13003LZTR-G1和APT27ZTR-G1的区别 |