AZ4558CMTR-E1
数据手册.pdfDiodes(美台)
主动器件
AZ4558CMTR-E1中文资料参数规格
技术参数
供电电流 2.5 mA
电路数 2
耗散功率 500 mW
增益频宽积 5.5 MHz
输入补偿电压 1 mV
输入偏置电流 70 nA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 5.5 MHz
耗散功率Max 500 mW
共模抑制比Min 70 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
AZ4558CMTR-E1引脚图与封装图 
AZ4558CMTR-E1引脚图
AZ4558CMTR-E1封装图
AZ4558CMTR-E1封装焊盘图
在线购买AZ4558CMTR-E1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AZ4558CMTR-E1 | Diodes 美台 | AZ4558CMTR-E1 编带 | 搜索库存 |
替代型号AZ4558CMTR-E1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AZ4558CMTR-E1 品牌： Diodes 美台 封装： SOIC-8 | 当前型号 | AZ4558CMTR-E1 编带 | 当前型号 |
| 型号： AZ4558CM-E1 品牌： 美台 封装： | 完全替代 | DUAL BIPOLAR OPERATIONAL AMPLIFIERS | AZ4558CMTR-E1和AZ4558CM-E1的区别 |