AIKW40N65DF5XKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IGBT 晶体管 DISCRETES

IGBT 沟道通孔 PG-TO247-3-41

欧时:
Infineon AIKW40N65DF5XKSA1

得捷:
IC DISCRETE 650V TO247-3

贸泽:
IGBT 晶体管 DISCRETES

e络盟:
单晶体管, IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

艾睿:
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode

AIKW40N65DF5XKSA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AIKW40N65DF5XKSA1引脚图与封装图

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