AIHD06N60RATMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

IC DISCRETE 600V TO252-3

IGBT 沟槽型场截止 600 V 12 A 100 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313

得捷:
IC DISCRETE 600V TO252-3

艾睿:
IGBT with integrated diode in packages offering space Saving advantage

Win Source:
IC DISCRETE 600V TO252-3

AIHD06N60RATMA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

耗散功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Piezo injection

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AIHD06N60RATMA1引脚图与封装图

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