AIKW50N65DF5XKSA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 沟道通孔 PG-TO247-3-41

得捷:
IC DISCRETE 650V TO247-3

e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

艾睿:
High Speed fast IGBT

安富利:
Infineon"s Discrete IGBT TRENCHSTOP 650V

AIKW50N65DF5XKSA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 270 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AIKW50N65DF5XKSA1引脚图与封装图

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AIKW50N65DF5XKSA1	Infineon 英飞凌	单晶体管, IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 引脚	搜索库存