APT1001RBVRG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT1001RBVRG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 280 W
输入电容 3.66 nF
栅电荷 225 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 3050pF @25VVds
额定功率Max 280 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
封装 TO-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT1001RBVRG引脚图与封装图
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在线购买APT1001RBVRG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT1001RBVRG | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 1000V 11A | 搜索库存 |
替代型号APT1001RBVRG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT1001RBVRG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 1kV 11A 3.66nF | 当前型号 | TO-247 N-CH 1000V 11A | 当前型号 |
| 型号： SML100B11 品牌： Semelab 封装： | 功能相似 | N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | APT1001RBVRG和SML100B11的区别 |