AON6262E
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AON6262E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 48000 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1650pF @30VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
AON6262E引脚图与封装图
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