AUIRFSL6535

Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 300V 19A

通孔 N 通道 19A（Tc） 210W（Tc） PG-TO262-3-901

得捷:
MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3

立创商城:
N沟道 300V 19A

贸泽:
MOSFET MOSFET_120V,300V_47

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 300V 19A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

AUIRFSL6535中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 210 W

漏源极电压Vds 300 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 2340pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

AUIRFSL6535引脚图与封装图

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