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AM29F010B-70JC

AM29F010B-70JC

数据手册.pdf
AMD 超微半导体 主动器件
AM29F010B-70JC中文资料参数规格
技术参数

负载电容 100 pF

输入电容 6.00 pF

封装参数

封装 QCCJ

外形尺寸

封装 QCCJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

AM29F010B-70JC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AM29F010B-70JC AMD 超微半导体 NOR Flash Parallel 5V 1M-bit 128K x 8 70ns 32Pin PLCC 搜索库存
替代型号AM29F010B-70JC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AM29F010B-70JC

品牌: AMD 超微半导体

封装: QCCJ

当前型号

NOR Flash Parallel 5V 1M-bit 128K x 8 70ns 32Pin PLCC

当前型号

型号: SST39SF010A-70-4I-NHE

品牌: 微芯

封装: LCC 125000B 4.5V 32Pin

功能相似

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip

AM29F010B-70JC和SST39SF010A-70-4I-NHE的区别

型号: SST39SF010A-70-4C-NHE

品牌: 微芯

封装: LCC 125000B 4.5V 32Pin

功能相似

MICROCHIP  SST39SF010A-70-4C-NHE  闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚

AM29F010B-70JC和SST39SF010A-70-4C-NHE的区别

型号: AM29F010B-70JF

品牌: 飞索半导体

封装: PLCC 125000B 4.5V 32Pin

功能相似

SPANSION  AM29F010B-70JF  闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, CFI, 并行, LCC, 32 引脚

AM29F010B-70JC和AM29F010B-70JF的区别