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AEB335M2GJ32T-F

AEB335M2GJ32T-F

数据手册.pdf
Cornell Dubilier ElectronicsCDE 被动器件

3.3uF 400V

3.3 µF 400 V 铝电解器 径向,Can - SMD - 105°C 时为 3000 小时


立创商城:
3.3uF ±20% 400V


得捷:
CAP ALUM 3.3UF 20% 400V SMD


AEB335M2GJ32T-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

电容 3.3 µF

容差 ±20 %

产品系列 AEB

纹波电流 40 mA

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -20 ℃

额定电压 400 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMD

外形尺寸

高度 13.5 mm

直径 10.0 mm

封装 SMD

物理参数

工作温度 105 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

寿命(小时) 2000h @85℃

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

AEB335M2GJ32T-F引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AEB335M2GJ32T-F Cornell Dubilier ElectronicsCDE 3.3uF 400V 搜索库存
替代型号AEB335M2GJ32T-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AEB335M2GJ32T-F

品牌: Cornell Dubilier ElectronicsCDE

封装: Radial 3.3F 400V ±20%

当前型号

3.3uF 400V

当前型号

型号: EEVEB2G3R3Q

品牌: 松下

封装: Radial 3.3µF 400V ±20%

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AEB335M2GJ32T-F和EEVEB2G3R3Q的区别

型号: NAWU3R3M400V10X10.8JBF

品牌: NIC

封装: 3.3uF ±20% 400V

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AEB335M2GJ32T-F和NAWU3R3M400V10X10.8JBF的区别

型号: NAWU3R3M400V10X10.8JLBF

品牌: NIC

封装: 3.3uF 400V ±20%

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AEB335M2GJ32T-F和NAWU3R3M400V10X10.8JLBF的区别