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AUIRF7732S2TR1

AUIRF7732S2TR1

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  AUIRF7732S2TR1  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.8 V

DirectFET® 功率 MOSFET,

**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻

封装电阻极低,尽量减少传导损耗

高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性

薄型,仅 0.7mm


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7732S2TR1, 40 A, Vds=40 V, 7引脚 DirectFET SC封装


e络盟:
# INFINEON  AUIRF7732S2TR1  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R


AUIRF7732S2TR1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 41 W

产品系列 AUIRF7732S2TR

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 14A

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 4.85 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.57 mm

封装 Direct-FET

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

AUIRF7732S2TR1引脚图与封装图
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AUIRF7732S2TR1 Infineon 英飞凌 INFINEON  AUIRF7732S2TR1  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存