APT50GT120B2RDLG

Microsemi(美高森美) 分立器件

谐振模式的IGBT Resonant Mode IGBT

IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole

得捷:
IGBT 1200V 106A 694W TO-247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 106A 694000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 106A 694000mW 3-Pin3+Tab TO-247

APT50GT120B2RDLG中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 694 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 694000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT50GT120B2RDLG引脚图与封装图

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