AO4822A
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AO4822A中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.3 W
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 888pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AO4822A引脚图与封装图 
AO4822A引脚图
AO4822A封装图
AO4822A封装焊盘图
替代型号AO4822A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AO4822A 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： SOIC N-CH 30V 8A | 当前型号 | 30V,8.5A,双N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： AO4854 品牌： 万代半导体 封装： 8-SOIC N-CH 30V 8A | 类似代替 | SOIC N-CH 30V 8A | AO4822A和AO4854的区别 |
| 型号： FDS6990A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 7.5A 11mohms 1.23nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.9 V | AO4822A和FDS6990A的区别 |
| 型号： IRF7313TRPBF 品牌： 国际整流器 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 6.5A 29mohms | 功能相似 | MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20V | AO4822A和IRF7313TRPBF的区别 |