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APT20M45SVFRG

APT20M45SVFRG

数据手册.pdf
APT20M45SVFRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 56.0 A

耗散功率 300 W

输入电容 4.86 nF

栅电荷 195 nC

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 56.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4050pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268

外形尺寸

封装 TO-268

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT20M45SVFRG引脚图与封装图
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在线购买APT20M45SVFRG
型号 制造商 描述 购买
APT20M45SVFRG Microsemi 美高森美 Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK 搜索库存
替代型号APT20M45SVFRG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT20M45SVFRG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: D³Pak 200V 56A 4.86nF

当前型号

Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK

当前型号

型号: APT20M45SVRG

品牌: 美高森美

封装: D3PAK-3 200V 56A 4.86nF

完全替代

Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK

APT20M45SVFRG和APT20M45SVRG的区别

型号: FDB52N20TM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263AB N-Channel 200V 52A 41mohms 2.9nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB52N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V

APT20M45SVFRG和FDB52N20TM的区别

型号: SML20S56

品牌: Semelab

封装:

功能相似

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

APT20M45SVFRG和SML20S56的区别