
额定电压DC 200 V
额定电流 56.0 A
耗散功率 300 W
输入电容 4.86 nF
栅电荷 195 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 4050pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268
封装 TO-268
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT20M45SVFRG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT20M45SVFRG 品牌: Microsemi 美高森美 封装: D³Pak 200V 56A 4.86nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK | 当前型号 | |
型号: APT20M45SVRG 品牌: 美高森美 封装: D3PAK-3 200V 56A 4.86nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3Pin2+Tab D3PAK | APT20M45SVFRG和APT20M45SVRG的区别 | |
型号: FDB52N20TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263AB N-Channel 200V 52A 41mohms 2.9nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB52N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 0.041 ohm, 10 V, 5 V | APT20M45SVFRG和FDB52N20TM的区别 | |
型号: SML20S56 品牌: Semelab 封装: | 功能相似 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | APT20M45SVFRG和SML20S56的区别 |