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AS6C8016A-55BIN

AS6C8016A-55BIN

数据手册.pdf

SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48Pin FBGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb 512K x 16 Parallel 55ns 48-FPBGA 10x8


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AS6C8016A 55BIN


得捷:
IC SRAM 8MBIT 55NS 48TFBGA


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SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA


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8M 512k x 16 3V 48ball TFBGA


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx16bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA48


AS6C8016A-55BIN中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3V ~ 3.6V

存取时间 55 ns

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 FPBGA-48

外形尺寸

封装 FPBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AS6C8016A-55BIN引脚图与封装图
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AS6C8016A-55BIN Alliance Memory 联盟记忆 SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48Pin FBGA 搜索库存