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AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

数据手册.pdf

DDR1 动态 RAM,Alliance Memory高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM。### 动态 RAM

双倍数据速率 DDR1 动态 RAM,

高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM。


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II


欧时:
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贸泽:
动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II


AS4C8M16D1-5TIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

电源电压Max 2.625 V

电源电压Min 2.375 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

长度 22.35 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AS4C8M16D1-5TIN引脚图与封装图
AS4C8M16D1-5TIN引脚图

AS4C8M16D1-5TIN引脚图

AS4C8M16D1-5TIN封装图

AS4C8M16D1-5TIN封装图

AS4C8M16D1-5TIN封装焊盘图

AS4C8M16D1-5TIN封装焊盘图

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AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory 联盟记忆 DDR1 动态 RAM,Alliance Memory 高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM。 ### 动态 RAM 搜索库存