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AON5802BL
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

30V,7.2A,共漏极N沟道MOSFET

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 30V 7.2A(Tc) 1.6W 表面贴装型 6-DFN-EP(2x5)


得捷:
MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN EP


力源芯城:
30V,7.2A,共漏极N沟道MOSFET


AON5802BL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.2A

上升时间 550 ns

输入电容Ciss 920pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 2400 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AON5802BL引脚图与封装图
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