AON6702
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AON6702中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.3W Ta, 83W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 85A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 7080pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AON6702引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AON6702
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AON6702 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： 8-PowerVDFN N-CH 30V 85A | 当前型号 | DFN N-CH 30V 85A | 当前型号 |
| 型号： AON6512 品牌： 万代半导体 封装： 8-PowerSMD N-CH 30V 85A | 类似代替 | N沟道,30V,150A,2.4mΩ@4.5V | AON6702和AON6512的区别 |