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AOTF4N60L
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

N沟道 600V 4A

通孔 N 通道 4A(Tc) 35W(Tc) TO-220F


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F


立创商城:
N沟道 600V 4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220F


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F


AOTF4N60L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 28.7 ns

输入电容Ciss 615pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

AOTF4N60L引脚图与封装图
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