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A2T18H100-25SR3

A2T18H100-25SR3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 72W, Typ Gain in dB is 18.1 @ 1805MHz, 28V, LDMOS, SOT1797

RF Mosfet LDMOS(双) 1.81GHz 18.1dB 18W NI-780-4S4


得捷:
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ


艾睿:
RF Power LDMOS Transistor


RfMW:
RF Power Transistor,1805 to 1995 MHz, 72 W, Typ Gain in dB is 18.1 @ 1805 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1797


A2T18H100-25SR3中文资料参数规格
技术参数

频率 1.81 GHz

输出功率 18 W

增益 18.1 dB

测试电流 230 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 9

封装 NI-780-4S4

外形尺寸

封装 NI-780-4S4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

A2T18H100-25SR3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
A2T18H100-25SR3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 72W, Typ Gain in dB is 18.1 @ 1805MHz, 28V, LDMOS, SOT1797 搜索库存