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A2T07D160W04SR3

A2T07D160W04SR3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

RF Power Transistor,716 to 960MHz, 79W, Typ Gain in dB is 21.5 @ 803MHz, 28V, LDMOS, SOT1826

RF Mosfet LDMOS(双) 803MHz 21.5dB 30W NI-780S-4


得捷:
FET RF 2CH 70V 803MHZ


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-780S T/R


安富利:
Trans MOSFET 4-Pin NI-780HS T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-780S T/R


RfMW:
RF Power Transistor,716 to 960 MHz, 79 W, Typ Gain in dB is 21.5 @ 803 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1826


A2T07D160W04SR3中文资料参数规格
技术参数

频率 803 MHz

输出功率 30 W

增益 21.5 dB

测试电流 450 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 70 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-780S-4

外形尺寸

封装 NI-780S-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

A2T07D160W04SR3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
A2T07D160W04SR3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,716 to 960MHz, 79W, Typ Gain in dB is 21.5 @ 803MHz, 28V, LDMOS, SOT1826 搜索库存