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AFT09S200W02GNR3

AFT09S200W02GNR3

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

RF Power Transistor,716 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.2 @ 960MHz, 28V, LDMOS, SOT1815

RF Mosfet LDMOS 28 V 1.4 A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2 鸥翼形


得捷:
FET RF 70V 960MHZ PLD


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin OM-780 EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 70V 2-Pin OM-780 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,716 to 960 MHz, 200 W, Typ Gain in dB is 19.2 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1815


AFT09S200W02GNR3中文资料参数规格
技术参数

频率 960 MHz

输出功率 56 W

增益 19.2 dB

测试电流 1.4 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

额定电压 70 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 OM-780-2

外形尺寸

封装 OM-780-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

AFT09S200W02GNR3引脚图与封装图
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AFT09S200W02GNR3 NXP 恩智浦 RF Power Transistor,716 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.2 @ 960MHz, 28V, LDMOS, SOT1815 搜索库存