AFT09S200W02GNR3
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
频率 960 MHz
输出功率 56 W
增益 19.2 dB
测试电流 1.4 A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
额定电压 70 V
电源电压 28 V
引脚数 3
封装 OM-780-2
封装 OM-780-2
工作温度 -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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AFT09S200W02GNR3 | NXP 恩智浦 | RF Power Transistor,716 to 960MHz, 200W, Typ Gain in dB is 19.2 @ 960MHz, 28V, LDMOS, SOT1815 | 搜索库存 |